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MG摆脱网站:用离子注入器将硼离子注入硅片可以形成许多空穴

时间:2021/3/20 13:22:52   作者:   来源:   阅读:15   评论:0
内容摘要:集成电路产业链非常长,离子注入处于产业链的前端。在先进技术节点的集成电路芯片通常需要70多个植入过程。众所周知,芯片的基本材料是硅片,为了使硅片具有特定的电导率,需要向这种材料中注入各种元素。这有点像做蛋糕,在蛋糕中加入芝麻、慕斯等材料,让蛋糕更美味。用离子注入器将硼离子注入硅片可以形成许多空穴,这些空穴都是正电子。正...
集成电路产业链非常长,离子注入处于产业链的前端。在先进技术节点的集成电路芯片通常需要70多个植入过程。众所周知,芯片的基本材料是硅片,为了使硅片具有特定的电导率,需要向这种材料中注入各种元素。这有点像做蛋糕,在蛋糕中加入芝麻、慕斯等材料,让蛋糕更美味。

用离子注入器将硼离子注入硅片可以形成许多空穴,这些空穴都是正电子。正电子带正电,与电子质量相同。它们是电子的反粒子。有孔洞的半导体称为孔洞型半导体,或p型半导体。它们主要通过带正电的空穴导电,让三价元素(如硼)取代晶格中的硅原子。由于p型半导体中的正电荷量和负电荷量相等,所以p型半导体是电中性的。

另一种半导体叫做n型半导体。在这类半导体中,带负电荷的电子主要参与传导。这些电子来自半导体中的磷和砷等五价元素。磷和砷比硅多一个电子,所以它们可以把额外的电子带到硅片上。因此,为了制造n型半导体,必须使用离子注入器将磷、砷等五价元素以带电离子的形式注入硅片。

中国电子科技集团突破了高性能离子源、高速晶圆传输等“卡盘颈”技术,自主研发中束、大束、高能等离子体植入器,工艺段覆盖28纳米。专家解释说,中束流和大束流是指离子注入硅片的效率。光束电流越大,每分钟注入的离子就越多。因此,大束流离子注入器具有较高的技术含量。另一方面,28纳米工艺节点对离子注入器提出了挑战。28纳米是指集成电路芯片上的线宽,尺寸越小,技术难度越高。28纳米是一种比较先进的工艺节点,具有较短的线宽和较浅的离子注入深度。这就需要离子注入器在“射击”离子的过程中在一个很低的范围内控制能量。一旦“枪”太强,注入深度就会超出标准。同时,设备必须保证较大的束流,技术难度可想而知。

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